- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C30B - Croissance des monocristaux; solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes; affinage des matériaux par fusion de zone; production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; appareillages à cet effet
- C30B 29/06 - Silicium
Détention brevets de la classe C30B 29/06
Brevets de cette classe: 2403
Historique des publications depuis 10 ans
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147
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214
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76
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Sumco Corporation | 1116 |
355 |
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1277 |
246 |
Globalwafers Co., Ltd. | 561 |
158 |
Siltronic AG | 395 |
111 |
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10525 |
46 |
SK Siltron Co., Ltd. | 146 |
43 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5132 |
39 |
Corner Star Limited | 95 |
37 |
Sumco TECHXIV Corporation | 109 |
35 |
Xi'an Eswin Material Technology Co., Ltd. | 45 |
35 |
Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | 160 |
33 |
LG Siltron Inc. | 116 |
30 |
LONGi Green Energy Technology Co., Ltd. | 180 |
30 |
Applied Materials, Inc. | 16587 |
28 |
Globalwafers Japan Co., Ltd. | 62 |
28 |
Hanwha Solutions Corporation | 572 |
26 |
QROMIS, Inc. | 87 |
23 |
Hanwha Corporation | 258 |
22 |
Japan Super Quartz Corporation | 38 |
20 |
Tokuyama Corporation | 1248 |
19 |
Autres propriétaires | 1039 |